为了应对 AI 大模型对存储带宽与功耗的极端需求，三星电子宣布与英伟达建立技术联盟，共同开发下一代铁电 NAND 闪存技术。该合作的核心是利用英伟达提供的 AI 模拟算力，将传统材料学的研发周期缩短 1 万倍，从而实现铁电存储芯片的快速量产。据初步测试数据，这种新型存储器在维持高数据吞吐量的同时，功耗比现有技术降低了 96%。这意味着未来的 AI 服务器和端侧 AI 设备将获得近乎无限的续航能力或极低的散热需求。此举被行业解读为存储芯片从通用大宗商品向专为 AI 架构设计的定制化精密插件转变的开端。
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