ASML 新一代 EUV 光刻机获突破，可实现 8 纳米芯片制造

ASML 展示了新一代极紫外（EUV）光刻设备，成功刻出 8 纳米最小线宽，使芯片晶体管密度提升 2.9 倍。该设备单台造价约 4 亿美元，预计 2027 年量产交付，将支撑下一代 AI 与移动芯片突破物理极限。

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