SK海力士斥资380亿美元扩建韩国本土芯片制造设施

SK海力士宣布计划斥资54万亿韩元（约合380亿美元）扩建韩国本土芯片制造设施，在龙仁新建DRAM制造工厂，在清州建设NAND闪存晶圆厂，其中约三分之二预算投入龙仁项目。公司表示，此项投资旨在应对AI时代持续增长的存储需求，同时覆盖追求最低延迟的DRAM和快速访问海量数据的固态存储。此前三星电子和SK海力士均已承诺大规模投资以响应韩国政府五年内将本土存储芯片产能提高一倍的目标。

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