三星公布3D内存路线图，zHAM性能可达HBM5八倍

三星电子在美国未来存储与内存大会上推出V10 Bonding V-NAND原型产品，并展示业界首款zHBM和zNAND-O架构概念模型。该技术通过垂直堆叠存储单元，在更小空间内存储更多数据，性能约为下一代HBM5的八倍。与HBM与AI处理器并列封装不同，三星zHBM将存储垂直堆叠于AI加速器之上，缩短数据传输距离。三星称晶圆键合技术可实现超HBM5十倍的存储密度，同时能源效率提高3倍、热阻降低一半以上。

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